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專心致志于半導體器件電性能參數測評

IC芯片電性能參數測試指南

的來源:admin 用時:2024-05-14 08:56 打開網頁量:3507
        金額化企業轉型發展升擋,5G 、人員智能化及云存儲高特性貝葉斯(AI/HPC)的用助推整合線路板(Integrated Circuit, IC)技能不斷的提升等級,心片線路板結構的繁瑣的情況和元器件整合度將持續多,試驗英文關卡和試驗英文人工成本亦而使得飆漲。


集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:

- 設汁周期的設汁驗證通過測量- 晶圓創造關鍵時期的技術風控檢驗- 封裝類型前的晶圓測試- 封裝形式后的樣品檢查


芯片測試應用現狀

        芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)FVMI(加相電壓測電壓電流)

        傳統藝術的IC芯片電功能性公測可以數臺儀器儀器儀器完成,如交流電壓源、直流電源、萬用表等,可是由數臺儀器儀器儀器組成了的程序可以分別是完成編程學習、同歩、聯接、量測和概述,操作使用過程多樣化又等待時間,又占存過大公測臺的地方,況且采用某一功能性的儀器儀器儀器和團隊激勵源還存在著多樣化的能夠 間觸及操作使用,有較大的不確認性及變慢的文件傳輸線文件傳輸線速度等通病,無非滿足了高效、性價比最高率公測的供給。

        實施芯片電性能測試的最佳工具之一是羅馬數字源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。


        此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。


        基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道

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圖1:普賽斯CS系插卡式源表

(10插卡及3插卡,高至40工作區)


基于數字源表SMU的芯片測試方案

        用普賽斯阿拉伯數字源表進行基帶芯片的開虛接自測(Open/Short Test)、漏電流自測(Leakage Test)已經DC基本參數自測(DC Parameters Test)。

1、開短路測試(O/S測試)

開短路等問題軟件公測儀公測儀(Open-Short Test,也稱不斷性或接觸軟件公測儀公測儀),代替證實軟件公測儀公測儀系統與集成電路原理芯片一切引腳的電接觸性,軟件公測儀公測儀的步驟是出借對地確保電感做的,軟件公測儀公測儀接入電路原理有以下圖示:

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圖2:開跳閘測試圖片路線聯接展示

2、漏電流測試

漏電流公測,別稱為Leakage Test,漏電流公測的意義最主要是檢查進入Pin腳和高阻程序下的輸出電壓Pin腳的電位差是不是夠高,公測對接電源線路如表已知:

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圖3:漏電流各種測試各線路接示意圖

3、DC參數測試

DC技術指標的測評,通常情況下是Force功率測評電阻值又或者Force電阻值測評功率,常見是測評特性阻抗性。通常情況下不同的DC技術指標總要在Datasheet這里注明,測評的常見意圖是抓實IC芯片的DC技術指標值具有規范標準:

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圖4:DC性能指標測式新線路進行連接展示

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測試案例

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公測系統化選配


Case 01 NCP1377B 開短路測試

        衡量 PIN 腳與 GND 區間內連接階段,衡量的過程中SMU首選3V量限,加入的-100μA電流大小,限壓-3V,衡量電阻值的結論表 1 如圖,電阻值的結論在-1.5~-0.2 區間內,衡量的結論 PASS。

*測式各線路聯接參照物圖2

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圖5:NCP1377B開串電測試圖片報告單




Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試

        光學解耦器其最最主要的由二個分組名稱成:光的放射端及光的受到端。光的放射端其最最主要的由發光字廣告肖特基肖特基二極管造成,肖特基肖特基二極管的管腳為光耦的鍵入端。光的受到端其最最主要的是光敏結晶管, 光敏結晶管是應用 PN 結在釋放倒置交流電壓時,在采光影響下倒置電容由大變小的作業原理來作業的,結晶管的管腳為光耦的輸入輸出端。        案例分析采取另外架SMU來進行測試方法,一架SMU與元元器設置端無線接入,是 恒流源控制發光字整流二極管并測量設置端關聯性能基本參數,另外架SMU與元元器輸入端無線接入,是 恒壓源并測量輸入下關聯性能基本參數。


*測試錢路相連對比圖4


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圖6:BVECO 測試數據測試源及曲線方程

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圖7:ICEO測試動態數據及直線

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圖8:鍵入性的身材曲線

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圖9:輸出精度特征參數曲線美


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