盛夏已過，初秋開場

十月的持續高溫仍舊已簽不散現在的生活也免滿足被煩雜的上班詛咒

高壓變壓器大工率(6500V/3000A)IGBT測驗難？伴隨之業務要急、任務重、規定要求高建設項目師們壓強山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

鑒于SiC與Si優點的不同的，SiC MOSFET的閥值法法工作額定電壓值體現了發飄定義，在元器件檢測檢測流程中閥值法法工作額定電壓值會出明顯的漂移，影響其電的性能檢測檢測相應耐高溫柵偏沖擊試驗后的電檢測檢測的結果嚴重依懶于檢測檢測必要條件。所以閥值法法工作額定電壓值的準確的檢測檢測，現行制度可信度性檢測檢測步驟有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通熱敏電阻 RDSon為不良影響電子元器件工做時導通耗率的一極為重要特證產品參數，其參考值會隨 VGS 或者T的發展而發生變化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護還可以將電壓值或 電壓電流減少在SOA部分，杜絕器材磨損或炸管。

測驗具體條件：800V 恒壓 10μA 限流

自測前提：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）瞬時電流論文檢測電源電路將不斷提高導通電流值在線測量控制精度；? SOCKET與PIN觸及電容、試驗引線導通電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，功率波形參數振蕩器；? 路線等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普遍同軸電纜電線的等效電容（電容器）與DUT并接，SMU自測時飆升并且 維持期限長；? 三同軸電線電纜等效濾波電容可以說為0。

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